Hersteller Produktnummer:
FQNL1N50BBU
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQNL1N50BBU-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 270MA TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 270mA (Tc) 1.5W (Tc) Through Hole TO-92-3
Inventar:
12851387
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FQNL1N50BBU Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
270mA (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9Ohm @ 135mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.7V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
150 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92-3
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Basis-Produktnummer
FQNL1
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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