FQP10N60C
Hersteller Produktnummer:

FQP10N60C

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FQP10N60C-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 9.5A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventar:

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FQP10N60C Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
730mOhm @ 4.75A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2040 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
156W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FQP1

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
FQP10N60C
HTML-Datenblatt
FQP10N60C-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
STP13NK60Z
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
770
TEILNUMMER
STP13NK60Z-DG
Einheitspreis
1.07
ERSATZART
Similar
Teilenummer
STP10NK60Z
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
905
TEILNUMMER
STP10NK60Z-DG
Einheitspreis
1.46
ERSATZART
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TEILNUMMER
STP9N60M2-DG
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