Hersteller Produktnummer:
FQP47P06
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQP47P06-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 47A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12847252
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FQP47P06 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
QFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 23.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3600 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
160W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FQP47
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SPP80P06PHXKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
5150
TEILNUMMER
SPP80P06PHXKSA1-DG
Einheitspreis
1.67
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