FQPF12N60CT
Hersteller Produktnummer:

FQPF12N60CT

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FQPF12N60CT-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 51W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventar:

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FQPF12N60CT Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2290 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
51W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F-3
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
FQPF1

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
FQPF12N60CT
HTML-Datenblatt
FQPF12N60CT-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
FDPF12N60NZ
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
174
TEILNUMMER
FDPF12N60NZ-DG
Einheitspreis
0.90
ERSATZART
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Teilenummer
STP9N60M2
HERSTELLER
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TEILNUMMER
STP9N60M2-DG
Einheitspreis
0.54
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TEILNUMMER
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