Hersteller Produktnummer:
FQT1N80TF-WS
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQT1N80TF-WS-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 200mA (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-223-3
Inventar:
12847036
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FQT1N80TF-WS Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
QFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
200mA (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
20Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
195 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.1W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-223-3
Paket / Koffer
TO-261-3
Basis-Produktnummer
FQT1N80
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
FQT1N80TF_WSTR-DG
FQT1N80TF_WSCT
FQT1N80TF-WSDKR
FQT1N80TF_WSDKR
FQT1N80TF-WSCT
FQT1N80TF_WSTR
FQT1N80TFWS
FQT1N80TF_WSDKR-DG
FQT1N80TF-WSTR
FQT1N80TF_WSCT-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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