Hersteller Produktnummer:
FQU13N10LTU
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQU13N10LTU-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Through Hole IPAK
Inventar:
12846052
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FQU13N10LTU Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
520 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 40W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
IPAK
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
FQU13N10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
70
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TSM900N10CH X0G
HERSTELLER
Taiwan Semiconductor Corporation
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
TSM900N10CH X0G-DG
Einheitspreis
0.26
ERSATZART
Similar
Teilenummer
DMN10H170SK3-13
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
252806
TEILNUMMER
DMN10H170SK3-13-DG
Einheitspreis
0.19
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
BSS138N-E6327
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
AOTF11C60PL
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F
AONS66612
MOSFET N-CH 60V 46A/100A 8DFN
