Hersteller Produktnummer:
HUF75309P3
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
HUF75309P3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 55 V 19A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12836937
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HUF75309P3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
UltraFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 20 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
350 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
55W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
HUF75
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
400
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRLZ34NPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
30318
TEILNUMMER
IRLZ34NPBF-DG
Einheitspreis
0.47
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