Hersteller Produktnummer:
HUF75639P3-F102
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
HUF75639P3-F102-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 56A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
800 Stück Neu Original Auf Lager
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HUF75639P3-F102 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 56A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 20 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2000 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
200W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
HUF75639
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
2832-HUF75639P3-F102
2832-HUF75639P3-F102-488
HUF75639P3_F102-DG
HUF75639P3_F102
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
AUIRF540Z
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
2924
TEILNUMMER
AUIRF540Z-DG
Einheitspreis
1.03
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