Hersteller Produktnummer:
HUF76419S3ST-F085
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
HUF76419S3ST-F085-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 29A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12850749
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HUF76419S3ST-F085 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
28.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
870 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
HUF76
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
HUF76419S3ST-F085CT
HUF76419S3ST_F085TR-DG
HUF76419S3ST_F085-DG
HUF76419S3ST_F085
HUF76419S3ST_F085DKR-DG
HUF76419S3ST_F085TR
HUF76419S3ST-F085DKR
HUF76419S3ST_F085CT-DG
HUF76419S3ST_F085CT
HUF76419S3ST_F085DKR
HUF76419S3ST-F085TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
PHB32N06LT,118
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
1037
TEILNUMMER
PHB32N06LT,118-DG
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0.42
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