Hersteller Produktnummer:
HUFA75617D3ST
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
HUFA75617D3ST-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 16A TO252AA
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 16A (Tc) 64W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12845519
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HUFA75617D3ST Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
UltraFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 20 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
570 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
64W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
HUFA75
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STD10NF10T4
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
12671
TEILNUMMER
STD10NF10T4-DG
Einheitspreis
0.46
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