Hersteller Produktnummer:
IRF630B_FP001
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
IRF630B_FP001-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 72W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12837430
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IRF630B_FP001 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
720 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
72W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IRF63
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF630
HERSTELLER
Harris Corporation
VERFÜGBARE ANZAHL
11535
TEILNUMMER
IRF630-DG
Einheitspreis
0.80
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