IRLS640A
Hersteller Produktnummer:

IRLS640A

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

IRLS640A-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220F
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 9.8A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventar:

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IRLS640A Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 4.9A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1705 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
40W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F-3
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
IRLS640

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
IRLS640A
HTML-Datenblatt
IRLS640A-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
2832-IRLS640A
IRLS640AFS
IRLS640A-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
RCX160N20
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
500
TEILNUMMER
RCX160N20-DG
Einheitspreis
0.55
ERSATZART
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Teilenummer
IRLI640GPBF
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Einheitspreis
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certification_02
certification_03
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cr
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esd
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