Hersteller Produktnummer:
KSD1691GSTU
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
KSD1691GSTU-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 60V 5A TO126-3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 5 A 1.3 W Through Hole TO-126-3
Inventar:
1172 Stück Neu Original Auf Lager
12853792
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KSD1691GSTU Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
5 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 200mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 2A, 1V
Leistung - Max
1.3 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-225AA, TO-126-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-126-3
Basis-Produktnummer
KSD1691
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,920
Andere Namen
2832-KSD1691GSTU
488-KSD1691GSTU
1990-KSD1691GSTU
KSD1691GSTU-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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