Hersteller Produktnummer:
MJB41CT4G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
MJB41CT4G-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 6 A 3MHz 2 W Surface Mount D2PAK
Inventar:
12851180
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MJB41CT4G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
6 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.5V @ 600mA, 6A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
700µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
15 @ 3A, 4V
Leistung - Max
2 W
Frequenz - Übergang
3MHz
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK
Basis-Produktnummer
MJB41
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
MJB41CT4GOSTR
MJB41CT4GOSCT
MJB41CT4GOSDKR
ONSONSMJB41CT4G
MJB41CT4G-DG
2156-MJB41CT4G-OS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FJB102TM
HERSTELLER
onsemi
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2
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FJB102TM-DG
Einheitspreis
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Direct
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