Hersteller Produktnummer:
MJD112-1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
MJD112-1G-DG
Beschreibung:
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Through Hole I-PAK
Inventar:
153 Stück Neu Original Auf Lager
12853107
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MJD112-1G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
20µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Leistung - Max
1.75 W
Frequenz - Übergang
25MHz
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gerätepaket für Lieferanten
I-PAK
Basis-Produktnummer
MJD112
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
ONSONSMJD112-1G
MJD1121G
=MJD112
MJD112-1GOS
2156-MJD112-1G-OS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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