MJD31C1G
Hersteller Produktnummer:

MJD31C1G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

MJD31C1G-DG

Beschreibung:

TRANS NPN 100V 3A IPAK
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Through Hole I-PAK

Inventar:

12854350
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Menge
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MJD31C1G Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
50µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
10 @ 3A, 4V
Leistung - Max
1.56 W
Frequenz - Übergang
3MHz
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gerätepaket für Lieferanten
I-PAK
Basis-Produktnummer
MJD31

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
75
Andere Namen
MJD31C1G-DG
MJD31C1GOS

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
MJD31CT4G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
2090
TEILNUMMER
MJD31CT4G-DG
Einheitspreis
0.16
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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