Hersteller Produktnummer:
MJD31C1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
MJD31C1G-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 100V 3A IPAK
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Through Hole I-PAK
Inventar:
12854350
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Menge
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MJD31C1G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
50µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
10 @ 3A, 4V
Leistung - Max
1.56 W
Frequenz - Übergang
3MHz
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gerätepaket für Lieferanten
I-PAK
Basis-Produktnummer
MJD31
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
MJD31C1G-DG
MJD31C1GOS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
MJD31CT4G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
2090
TEILNUMMER
MJD31CT4G-DG
Einheitspreis
0.16
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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