MJD42CT4G
Hersteller Produktnummer:

MJD42CT4G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

MJD42CT4G-DG

Beschreibung:

TRANS PNP 100V 6A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 6 A 3MHz 1.75 W Surface Mount DPAK

Inventar:

21355 Stück Neu Original Auf Lager
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MJD42CT4G Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
6 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.5V @ 600mA, 6A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
50µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
15 @ 3A, 4V
Leistung - Max
1.75 W
Frequenz - Übergang
3MHz
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK
Basis-Produktnummer
MJD42

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
MJD42CT4GOSCT
MJD42CT4GOSTR
MJD42CT4GOSDKR
MJD42CT4GOS
MJD42CT4GOS-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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