Hersteller Produktnummer:
MJE181G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
MJE181G-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 60V 3A TO126
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 50MHz 1.5 W Through Hole TO-126
Inventar:
408 Stück Neu Original Auf Lager
12853178
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MJE181G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.7V @ 600mA, 3A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 100mA, 1V
Leistung - Max
1.5 W
Frequenz - Übergang
50MHz
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-225AA, TO-126-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-126
Basis-Produktnummer
MJE181
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
ONSONSMJE181G
2156-MJE181G-OS
2832-MJE181G
MJE181GOS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
MJE181STU
HERSTELLER
Fairchild Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
4017
TEILNUMMER
MJE181STU-DG
Einheitspreis
0.20
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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