Hersteller Produktnummer:
MMBT5551LT3G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
MMBT5551LT3G-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventar:
46485 Stück Neu Original Auf Lager
12843457
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MMBT5551LT3G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
600 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
160 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Leistung - Max
225 mW
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Basis-Produktnummer
MMBT5551
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
MMBT5551LT3G-DG
2156-MMBT5551LT3G-OS
MMBT5551LT3GOSDKR
ONSONSMMBT5551LT3G
MMBT5551LT3GOSCT
MMBT5551LT3GOSTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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