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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
MMBTH10
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
MMBTH10-DG
Beschreibung:
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
RF Transistor NPN 25V 50mA 650MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12847454
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EINREICHEN
MMBTH10 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare RF-Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
25V
Frequenz - Übergang
650MHz
Geräuschzahl (dB Typ @ f)
-
Gewinnen
-
Leistung - Max
225mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 4mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
50mA
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Basis-Produktnummer
MMBTH10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
MMBTH10
HTML-Datenblatt
MMBTH10-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
MMBTH10FSDKR
2156-MMBTH10-ONTR-DG
ONSFSCMMBTH10
2156-MMBTH10
MMBTH10FSCT
MMBTH10FSTR
MMBTH10FSTR-NDR
MMBTH10FSCT-NDR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
MMBTH10-4LT1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
56004
TEILNUMMER
MMBTH10-4LT1G-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
Similar
Teilenummer
BCW31,215
HERSTELLER
NXP USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
42000
TEILNUMMER
BCW31,215-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
Similar
Teilenummer
MMBTH10LT1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
MMBTH10LT1G-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
Direct
Teilenummer
BFR181WH6327XTSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
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TEILNUMMER
BFR181WH6327XTSA1-DG
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0.04
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MMBTH10-7-F-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
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