MMUN2212LT1
Hersteller Produktnummer:

MMUN2212LT1

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

MMUN2212LT1-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 246 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventar:

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12841886
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MMUN2212LT1 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
22 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
22 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Leistung - Max
246 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Basis-Produktnummer
MMUN2212

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
MMUN2212LT1
HTML-Datenblatt
MMUN2212LT1-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
MMUN2212LT1OSCT
MMUN2212LT1OSTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
DTD113EKT146
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
2769
TEILNUMMER
DTD113EKT146-DG
Einheitspreis
0.08
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cr
certification_015
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