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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
MPSA13G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
MPSA13G-DG
Beschreibung:
TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO92
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30 V 500 mA 125MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Inventar:
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MPSA13G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
30 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.5V @ 100µA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
10000 @ 100mA, 5V
Leistung - Max
625 mW
Frequenz - Übergang
125MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92 (TO-226)
Basis-Produktnummer
MPSA13
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
MPSA13G
HTML-Datenblatt
MPSA13G-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
MPSA13G-DG
MPSA13GOS
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
MMBTA13LT1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
26813
TEILNUMMER
MMBTA13LT1G-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
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0
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0.05
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DIGI-Zertifizierung
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