Hersteller Produktnummer:
MPSA29-D26Z
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
MPSA29-D26Z-DG
Beschreibung:
TRANS NPN DARL 100V 0.8A TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 800 mA 125MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Inventar:
15868 Stück Neu Original Auf Lager
12851334
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MPSA29-D26Z Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
800 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.5V @ 100µA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
10000 @ 100mA, 5V
Leistung - Max
625 mW
Frequenz - Übergang
125MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92-3
Basis-Produktnummer
MPSA29
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
MPSA29-D26ZTR
MPSA29_D26ZDKR
MPSA29_D26ZTR-DG
MPSA29_D26ZDKR-DG
MPSA29_D26Z
MPSA29-D26ZDKR-DG
MPSA29_D26ZCT
MPSA29_D26Z-DG
MPSA29_D26ZCT-DG
MPSA29_D26ZTR
MPSA29-D26ZDKRINACTIVE
MPSA29-D26ZCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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