MUN2211JT1G
Hersteller Produktnummer:

MUN2211JT1G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

MUN2211JT1G-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 230 mW Surface Mount SC-59

Inventar:

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12853007
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MUN2211JT1G Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
35 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Leistung - Max
230 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SC-59
Basis-Produktnummer
MUN2211

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2156-MUN2211JT1G-ONTR
ONSONSMUN2211JT1G

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
DTC114ECA-TP
HERSTELLER
Micro Commercial Co
VERFÜGBARE ANZAHL
578
TEILNUMMER
DTC114ECA-TP-DG
Einheitspreis
0.01
ERSATZART
Direct
Teilenummer
DTD113EKT146
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
2769
TEILNUMMER
DTD113EKT146-DG
Einheitspreis
0.08
ERSATZART
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Teilenummer
DTD143EKT146
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
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TEILNUMMER
DTD143EKT146-DG
Einheitspreis
0.11
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TEILNUMMER
DTC114YKAT146-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
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HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
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PDTC114ET,235-DG
Einheitspreis
0.01
ERSATZART
Upgrade
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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