MUN5115DW1T1G
Hersteller Produktnummer:

MUN5115DW1T1G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

MUN5115DW1T1G-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Inventar:

30 Stück Neu Original Auf Lager
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MUN5115DW1T1G Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
10kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
160 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
-
Leistung - Max
250mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
SC-88/SC70-6/SOT-363
Basis-Produktnummer
MUN5115

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
MUN5115DW1T1G
HTML-Datenblatt
MUN5115DW1T1G-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
ONSONSMUN5115DW1T1G
2156-MUN5115DW1T1G-OS
MUN5115DW1T1G-DG
MUN5115DW1T1GOSTR
MUN5115DW1T1GOSDKR
MUN5115DW1T1GOSCT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
RN2911,LF
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
3000
TEILNUMMER
RN2911,LF-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
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DDA114TU-7-F
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DDA114TU-7-F-DG
Einheitspreis
0.03
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