Hersteller Produktnummer:
NDD04N50Z-1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NDD04N50Z-1G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 3A (Tc) 61W (Tc) Through Hole IPAK
Inventar:
12844955
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NDD04N50Z-1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.7Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
308 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
61W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
IPAK
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
NDD04
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
NDD04N50Z-1GOS
2156-NDD04N50Z-1G-ON
NDD04N50Z-1G-DG
ONSONSNDD04N50Z-1G
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STD4N52K3
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
STD4N52K3-DG
Einheitspreis
0.50
ERSATZART
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