Hersteller Produktnummer:
NDS352P
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NDS352P-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 850MA SUPERSOT3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 850mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventar:
12857804
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NDS352P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
850mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
125 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
NDS352
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
NDS352PTR-NDR
NDS352PTR
NDS352PCT
NDS352PCT-NDR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
NTR1P02LT3G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
19457
TEILNUMMER
NTR1P02LT3G-DG
Einheitspreis
0.06
ERSATZART
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Direct
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