Hersteller Produktnummer:
NJW21193G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NJW21193G-DG
Beschreibung:
TRANS PNP 250V 16A TO3P-3L
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 16 A 4MHz 200 W Through Hole TO-3P-3L
Inventar:
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12859205
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NJW21193G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
16 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
250 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
4V @ 3.2A, 16A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
20 @ 8A, 5V
Leistung - Max
200 W
Frequenz - Übergang
4MHz
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3P-3L
Basis-Produktnummer
NJW21193
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
NJW21193G-DG
NJW21193GOS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
2SA1943N(S1,E,S)
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
55
TEILNUMMER
2SA1943N(S1,E,S)-DG
Einheitspreis
0.96
ERSATZART
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