Hersteller Produktnummer:
NSB1706DMW5T1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NSB1706DMW5T1G-DG
Beschreibung:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Inventar:
4465 Stück Neu Original Auf Lager
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EINREICHEN
NSB1706DMW5T1G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
4.7kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
-
Leistung - Max
187mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Gerätepaket für Lieferanten
SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Basis-Produktnummer
NSB1706
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
NSB1706DMW5T1GOS
NSB1706DMW5T1GOSTR
NSB1706DMW5T1GOSCT
NSB1706DMW5T1GOS-DG
NSB1706DMW5T1GOSDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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