NSBA123JDXV6T1G
Hersteller Produktnummer:

NSBA123JDXV6T1G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

NSBA123JDXV6T1G-DG

Beschreibung:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563

Inventar:

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12841541
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NSBA123JDXV6T1G Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
2.2kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
-
Leistung - Max
500mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-563
Basis-Produktnummer
NSBA123

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
4,000
Andere Namen
NSBA123JDXV6T1GOS-DG
2156-NSBA123JDXV6T1G
NSBA123JDXV6T1GOS
2156-NSBA123JDXV6T1G-ONTR-DG
ONSONSNSBA123JDXV6T1G
NSBA123JDXV6T1GOSTR
NSBA123JDXV6T1GOSCT

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
RN2905FE,LF(CT
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
RN2905FE,LF(CT-DG
Einheitspreis
0.02
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ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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