NSBC115EPDXV6T1G
Hersteller Produktnummer:

NSBC115EPDXV6T1G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

NSBC115EPDXV6T1G-DG

Beschreibung:

SS SOT563 RSTR XSTR TR
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 357mW Surface Mount SOT-563

Inventar:

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NSBC115EPDXV6T1G Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
100kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
100kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
-
Leistung - Max
357mW
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-563
Basis-Produktnummer
NSBC115

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
NSBC115EPDXV6T1G
HTML-Datenblatt
NSBC115EPDXV6T1G-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
4,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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