Hersteller Produktnummer:
NSS40300DDR2G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NSS40300DDR2G-DG
Beschreibung:
TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 3A 100MHz 653mW Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
5694 Stück Neu Original Auf Lager
12843712
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NSS40300DDR2G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 PNP (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
40V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
170mV @ 200mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
180 @ 1A, 2V
Leistung - Max
653mW
Frequenz - Übergang
100MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Basis-Produktnummer
NSS40300
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
NSS40300DDR2GOSTR
ONSONSNSS40300DDR2G
NSS40300DDR2GOSCT
2156-NSS40300DDR2G-OS
NSS40300DDR2GOSDKR
NSS40300DDR2G-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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