Hersteller Produktnummer:
NSVBA114YDXV6T1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NSVBA114YDXV6T1G-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Inventar:
12842697
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NSVBA114YDXV6T1G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Last Time Buy
Transistor-Typ
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
10kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
-
Leistung - Max
500mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-563
Basis-Produktnummer
NSVBA114
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
2156-NSVBA114YDXV6T1G-OS
ONSONSNSVBA114YDXV6T1G
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
PEMB9,115
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
4000
TEILNUMMER
PEMB9,115-DG
Einheitspreis
0.07
ERSATZART
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Einheitspreis
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