Hersteller Produktnummer:
NSVUMZ1NT1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NSVUMZ1NT1G-DG
Beschreibung:
NPN PNP BIPOLAR TRANSISTOR
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array 1 NPN, 1 PNP Complementary 50V 200mA 114MHz, 142MHz 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Inventar:
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EINREICHEN
NSVUMZ1NT1G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
1 NPN, 1 PNP Complementary
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
200mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
2µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Leistung - Max
250mW
Frequenz - Übergang
114MHz, 142MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
SC-88/SC70-6/SOT-363
Basis-Produktnummer
NSVUMZ1
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
488-NSVUMZ1NT1GTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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