NTB13N10T4G

Hersteller Produktnummer:

NTB13N10T4G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

NTB13N10T4G-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 100 V 13A (Ta) 64.7W (Ta) Surface Mount D2PAK

Inventar:

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12847860

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NTB13N10T4G Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

onsemi

Verpackung

-

Reihe

-

Produktstatus

Obsolete

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

100 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

13A (Ta)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

165mOhm @ 6.5A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

20 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

550 pF @ 25 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

64.7W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

D2PAK

Paket / Koffer

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Basis-Produktnummer

NTB13

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

800

Andere Namen

NTB13N10T4GOS

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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