Hersteller Produktnummer:
NTB52N10T4G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTB52N10T4G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 52A (Tc) 2W (Ta), 178W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
12841344
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NTB52N10T4G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 26A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3150 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta), 178W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
NTB52
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
NTB52N10T4GOSTR
NTB52N10T4GOSDKR
NTB52N10T4GOSCT
NTB52N10T4GOS
NTB52N10T4GOS-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
HUF75639S3ST
HERSTELLER
Fairchild Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
8245
TEILNUMMER
HUF75639S3ST-DG
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