NTD18N06-1G
Hersteller Produktnummer:

NTD18N06-1G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

NTD18N06-1G-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 18A (Ta) 2.1W (Ta), 55W (Tj) Through Hole IPAK

Inventar:

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NTD18N06-1G Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
710 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.1W (Ta), 55W (Tj)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
IPAK
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
NTD18

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
NTD18N06-1G
HTML-Datenblatt
NTD18N06-1G-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
75
Andere Namen
2156-NTD18N06-1G-ON
ONSONSNTD18N06-1G

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
IRLR2705TRPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
14695
TEILNUMMER
IRLR2705TRPBF-DG
Einheitspreis
0.24
ERSATZART
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AOI444
HERSTELLER
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TEILNUMMER
AOI444-DG
Einheitspreis
0.23
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HERSTELLER
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0.44
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certification_02
certification_03
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cr
certification_015
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esd
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