NTD4809N-1G

Hersteller Produktnummer:

NTD4809N-1G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

NTD4809N-1G-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 30 V 9.6A (Ta), 58A (Tc) 1.4W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventar:

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12858581

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NTD4809N-1G Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

onsemi

Verpackung

-

Reihe

-

Produktstatus

Obsolete

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

30 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

9.6A (Ta), 58A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

4.5V, 11.5V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 30A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

13 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

1456 pF @ 12 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.4W (Ta), 52W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Art der Montage

Through Hole

Gerätepaket für Lieferanten

I-PAK

Paket / Koffer

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Basis-Produktnummer

NTD48

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

75

Andere Namen

ONSONSNTD4809N-1G

2156-NTD4809N-1G-ON

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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