Hersteller Produktnummer:
NTD4856N-1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTD4856N-1G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 13.3A (Ta), 89A (Tc) 1.33W (Ta), 60W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventar:
12847490
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NTD4856N-1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13.3A (Ta), 89A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2241 pF @ 12 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.33W (Ta), 60W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I-PAK
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
NTD48
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
2156-NTD4856N-1G-ON
ONSONSNTD4856N-1G
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
PHT6NQ10T,135
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
4949
TEILNUMMER
PHT6NQ10T,135-DG
Einheitspreis
0.28
ERSATZART
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