Hersteller Produktnummer:
NTD4960NT4G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTD4960NT4G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 8.9A/55A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 8.9A (Ta), 55A (Tc) 1.07W (Ta), 35.71W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
12848242
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NTD4960NT4G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8.9A (Ta), 55A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1300 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.07W (Ta), 35.71W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
NTD49
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
NTD4960NT4GOSDKR
NTD4960NT4GOSCT
NTD4960NT4GOSTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPD30N03S4L09ATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
48073
TEILNUMMER
IPD30N03S4L09ATMA1-DG
Einheitspreis
0.31
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Direct
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