NTD60N02R-1G

Hersteller Produktnummer:

NTD60N02R-1G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

NTD60N02R-1G-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A IPAK

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 25 V 8.5A (Ta), 32A (Tc) 1.25W (Ta), 58W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventar:

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12858397

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NTD60N02R-1G Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

onsemi

Verpackung

-

Reihe

-

Produktstatus

Obsolete

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

25 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

8.5A (Ta), 32A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

4.5V, 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 20A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

2V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

14 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

1330 pF @ 20 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.25W (Ta), 58W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Art der Montage

Through Hole

Gerätepaket für Lieferanten

I-PAK

Paket / Koffer

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Basis-Produktnummer

NTD60

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

NTD60N02R-1G-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

75

Andere Namen

ONSONSNTD60N02R-1G

2156-NTD60N02R-1G-ON

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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