NTD60N02R-1G
Hersteller Produktnummer:

NTD60N02R-1G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

NTD60N02R-1G-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A IPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 8.5A (Ta), 32A (Tc) 1.25W (Ta), 58W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventar:

12858397
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NTD60N02R-1G Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8.5A (Ta), 32A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1330 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.25W (Ta), 58W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I-PAK
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
NTD60

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
75
Andere Namen
ONSONSNTD60N02R-1G
2156-NTD60N02R-1G-ON

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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