Hersteller Produktnummer:
NTE4151PT1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTE4151PT1G-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 760mA (Tj) 313mW (Tj) Surface Mount SC-89-3
Inventar:
26703 Stück Neu Original Auf Lager
12847099
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NTE4151PT1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
760mA (Tj)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 350mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±6V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
156 pF @ 5 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
313mW (Tj)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SC-89-3
Paket / Koffer
SC-89, SOT-490
Basis-Produktnummer
NTE4151
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2156-NTE4151PT1G-OS
ONSONSNTE4151PT1G
NTE4151PT1GOSCT
NTE4151PT1GOSDKR
NTE4151PT1GOSTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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