Hersteller Produktnummer:
NTGD3133PT1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTGD3133PT1G-DG
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 1.6A 560mW Surface Mount 6-TSOP
Inventar:
12842350
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Menge
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NTGD3133PT1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
145mOhm @ 2.2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
400pF @ 10V
Leistung - Max
560mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gerätepaket für Lieferanten
6-TSOP
Basis-Produktnummer
NTGD31
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2156-NTGD3133PT1G-ONTR
ONSONSNTGD3133PT1G
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDC6310P
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
7945
TEILNUMMER
FDC6310P-DG
Einheitspreis
0.18
ERSATZART
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