Hersteller Produktnummer:
NTHD2110TT1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTHD2110TT1G-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 12 V 4.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount ChipFET™
Inventar:
12840645
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NTHD2110TT1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 6.4A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
850mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1072 pF @ 6 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
ChipFET™
Paket / Koffer
8-SMD, Flat Lead
Basis-Produktnummer
NTHD21
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2156-NTHD2110TT1G-ONTR-DG
ONSONSNTHD2110TT1G
2156-NTHD2110TT1G
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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