Hersteller Produktnummer:
NTHL099N60S5
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTHL099N60S5-DG
Beschreibung:
NTHL099N60S5
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 33A (Tc) 184W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
302 Stück Neu Original Auf Lager
12966313
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
NTHL099N60S5 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
SuperFET® V
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 2.8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2500 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
184W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
488-NTHL099N60S5
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
EPC2067
TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
NTMTS1D6N10MCTXG
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
SI7840BDP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
