NTHS2101PT1

Hersteller Produktnummer:

NTHS2101PT1

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

NTHS2101PT1-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET

Detaillierte Beschreibung:

P-Channel 8 V 5.4A (Tj) 1.3W (Ta) Surface Mount ChipFET™

Inventar:

Angebot Anfrage Online

12844776

Angebot anfordern

Menge
Mindestens 1

(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden

EINREICHEN

NTHS2101PT1 Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

onsemi

Verpackung

-

Reihe

-

Produktstatus

Obsolete

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

8 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

5.4A (Tj)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

1.8V, 4.5V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5.4A, 4.5V

vgs(th) (max.) @ id

1.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

30 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

2400 pF @ 6.4 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.3W (Ta)

Betriebstemperatur

-

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

ChipFET™

Paket / Koffer

8-SMD, Flat Lead

Basis-Produktnummer

NTHS21

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

3,000

Andere Namen

2156-NTHS2101PT1-ONTR

ONSONSNTHS2101PT1

NTHS2101PT1OS

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

RoHS non-compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Ähnliche Produkte

onsemi

NTB30N06LT4G

MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

AONX36372

MOSFET N-CH ASYMMETRIC

onsemi

NVMFS4C302NWFT1G

MOSFET N-CH 30V 43A/241A 5DFN

alpha-and-omega-semiconductor

AOTF292L

MOSFET N-CH 100V 70A TO220F