Hersteller Produktnummer:
NTHS2101PT1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTHS2101PT1G-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 8 V 5.4A (Tj) 1.3W (Ta) Surface Mount ChipFET™
Inventar:
12848968
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NTHS2101PT1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
8 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.4A (Tj)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 5.4A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2400 pF @ 6.4 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.3W (Ta)
Betriebstemperatur
-
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
ChipFET™
Paket / Koffer
8-SMD, Flat Lead
Basis-Produktnummer
NTHS21
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
NTHS2101PT1GOS-DG
NTHS2101PT1GOSCT
NTHS2101PT1GOSTR
=NTHS2101PT1GOSCT-DG
NTHS2101PT1GOS
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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