NTJD5121NT1G
Hersteller Produktnummer:

NTJD5121NT1G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

NTJD5121NT1G-DG

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 60V 295mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Inventar:

92176 Stück Neu Original Auf Lager
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NTJD5121NT1G Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
295mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
26pF @ 20V
Leistung - Max
250mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
SC-88/SC70-6/SOT-363
Basis-Produktnummer
NTJD5121

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2832-NTJD5121NT1GTR
NTJD5121NT1GOSTR
NTJD5121NT1G-DG
NTJD5121NT1GOSDKR
ONSONSNTJD5121NT1G
NTJD5121NT1GOSCT
2156-NTJD5121NT1G-OS

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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