Hersteller Produktnummer:
NTMS7N03R2G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTMS7N03R2G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 4.8A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12844913
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NTMS7N03R2G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.8A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1190 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
800mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
NTMS7
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
NTMS7N03R2GOSCT
ONSONSNTMS7N03R2G
NTMS7N03R2GOSTR
NTMS7N03R2GOSDKR
NTMS7N03R2GOS
2156-NTMS7N03R2G-OS
NTMS7N03R2GOS-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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