Hersteller Produktnummer:
NTMTSC002N10MCTXG
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTMTSC002N10MCTXG-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 45A/236A 8TDFNW
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 45A (Ta), 236A (Tc) 9W (Ta), 255W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 8-TDFNW (8.3x8.4)
Inventar:
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NTMTSC002N10MCTXG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
45A (Ta), 236A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 520µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6305 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
9W (Ta), 255W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount, Wettable Flank
Gerätepaket für Lieferanten
8-TDFNW (8.3x8.4)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
NTMTSC002
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
488-NTMTSC002N10MCTXGTR
488-NTMTSC002N10MCTXGDKR
488-NTMTSC002N10MCTXGCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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